Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88fr | 0.95fr |
5 - 9 | 0.84fr | 0.91fr |
10 - 24 | 0.79fr | 0.85fr |
25 - 49 | 0.75fr | 0.81fr |
50 - 63 | 0.73fr | 0.79fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88fr | 0.95fr |
5 - 9 | 0.84fr | 0.91fr |
10 - 24 | 0.79fr | 0.85fr |
25 - 49 | 0.75fr | 0.81fr |
50 - 63 | 0.73fr | 0.79fr |
Transistor 2N5415. Transistor. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 4 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.
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