Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.29fr | 5.72fr |
2 - 2 | 5.02fr | 5.43fr |
3 - 4 | 4.76fr | 5.15fr |
5 - 9 | 4.49fr | 4.85fr |
10 - 19 | 4.39fr | 4.75fr |
20 - 29 | 4.28fr | 4.63fr |
30 - 161 | 4.12fr | 4.45fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.29fr | 5.72fr |
2 - 2 | 5.02fr | 5.43fr |
3 - 4 | 4.76fr | 5.15fr |
5 - 9 | 4.49fr | 4.85fr |
10 - 19 | 4.39fr | 4.75fr |
20 - 29 | 4.28fr | 4.63fr |
30 - 161 | 4.12fr | 4.45fr |
Transistor 2N5884. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5886. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.
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