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Transistor 2N5886

Transistor 2N5886
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Quantité HT TTC
1 - 1 7.30fr 7.89fr
2 - 2 6.93fr 7.49fr
3 - 4 6.57fr 7.10fr
5 - 9 6.20fr 6.70fr
10 - 19 6.06fr 6.55fr
20 - 29 5.91fr 6.39fr
30 - 168 5.69fr 6.15fr
Quantité U.P
1 - 1 7.30fr 7.89fr
2 - 2 6.93fr 7.49fr
3 - 4 6.57fr 7.10fr
5 - 9 6.20fr 6.70fr
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Quantité en stock : 168
Lot de 1

Transistor 2N5886. Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5884. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.

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