Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.21fr | 1.31fr |
5 - 9 | 1.15fr | 1.24fr |
10 - 24 | 1.09fr | 1.18fr |
25 - 49 | 1.03fr | 1.11fr |
50 - 99 | 1.00fr | 1.08fr |
100 - 125 | 0.90fr | 0.97fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.21fr | 1.31fr |
5 - 9 | 1.15fr | 1.24fr |
10 - 24 | 1.09fr | 1.18fr |
25 - 49 | 1.03fr | 1.11fr |
50 - 99 | 1.00fr | 1.08fr |
100 - 125 | 0.90fr | 0.97fr |
Transistor 2N6491. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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