Transistor 2N6517

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.24fr	0.26fr
10 - 24	0.23fr	0.25fr
25 - 49	0.22fr	0.24fr
50 - 99	0.21fr	0.23fr
100 - 249	0.19fr	0.21fr
250 - 345	0.17fr	0.18fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.24fr	0.26fr
10 - 24	0.23fr	0.25fr
25 - 49	0.22fr	0.24fr
50 - 99	0.21fr	0.23fr
100 - 249	0.19fr	0.21fr
250 - 345	0.17fr	0.18fr

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Lot de 1

Transistor 2N6517. Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6520. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

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