Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.23fr | 0.25fr |
10 - 24 | 0.21fr | 0.23fr |
25 - 49 | 0.20fr | 0.22fr |
50 - 99 | 0.19fr | 0.21fr |
100 - 249 | 0.11fr | 0.12fr |
250 - 499 | 0.10fr | 0.11fr |
500 - 1929 | 0.0940fr | 0.1016fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.23fr | 0.25fr |
10 - 24 | 0.21fr | 0.23fr |
25 - 49 | 0.20fr | 0.22fr |
50 - 99 | 0.19fr | 0.21fr |
100 - 249 | 0.11fr | 0.12fr |
250 - 499 | 0.10fr | 0.11fr |
500 - 1929 | 0.0940fr | 0.1016fr |
Transistor 2N7002T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 72. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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