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Transistor 2SA900

Transistor 2SA900
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Transistor 2SA900. Transistor. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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