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Semi-conducteurs Transistors

Transistor 2SB1560

Transistor 2SB1560
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2 - 2 5.27fr 5.70fr
3 - 4 4.99fr 5.39fr
5 - 9 4.71fr 5.09fr
10 - 19 4.60fr 4.97fr
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Transistor 2SB1560. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.

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Produits équivalents :

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MN2488-MP1620

MN2488-MP1620

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: ...
MN2488-MP1620
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Type de transistor: PNP & NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non
MN2488-MP1620
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Type de transistor: PNP & NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

Transistor. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: siliciu...
2SB1560-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Diode BE: non. Diode CE: non
2SB1560-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Diode BE: non. Diode CE: non
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