Quantité | HT | TTC |
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1 - 3 | 1.54fr | 1.66fr |
Quantité | U.P | |
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1 - 3 | 1.54fr | 1.66fr |
Transistor 2SC3303. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: C3303. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.
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