Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97fr | 1.05fr |
5 - 9 | 0.92fr | 0.99fr |
10 - 24 | 0.87fr | 0.94fr |
25 - 49 | 0.83fr | 0.90fr |
50 - 99 | 0.81fr | 0.88fr |
100 - 249 | 0.79fr | 0.85fr |
250 - 3932 | 0.75fr | 0.81fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97fr | 1.05fr |
5 - 9 | 0.92fr | 0.99fr |
10 - 24 | 0.87fr | 0.94fr |
25 - 49 | 0.83fr | 0.90fr |
50 - 99 | 0.81fr | 0.88fr |
100 - 249 | 0.79fr | 0.85fr |
250 - 3932 | 0.75fr | 0.81fr |
Transistor 2SC4517. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 6 MHz. Fonction: Transistor de commutation haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. Vebo: 7V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.
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