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Transistor 2SC5706FA

Transistor 2SC5706FA
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.88fr 2.03fr
5 - 9 1.78fr 1.92fr
10 - 24 1.69fr 1.83fr
25 - 49 1.59fr 1.72fr
50 - 99 1.56fr 1.69fr
100 - 249 1.38fr 1.49fr
250 - 381 1.32fr 1.43fr
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1 - 4 1.88fr 2.03fr
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Lot de 1

Transistor 2SC5706FA. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 7.5A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.135V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2039. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.

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Quantité en stock : 255
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: c...
2SC5707FA
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA
2SC5707FA
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA
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