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Transistor 2SC5707

Transistor 2SC5707
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.94fr 1.02fr
5 - 9 0.89fr 0.96fr
10 - 24 0.85fr 0.92fr
25 - 49 0.80fr 0.86fr
50 - 99 0.78fr 0.84fr
100 - 249 0.67fr 0.72fr
250 - 923 0.64fr 0.69fr
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Lot de 1

Transistor 2SC5707. Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.

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Quantité en stock : 255
2SC5707FA

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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: c...
2SC5707FA
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA
2SC5707FA
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA
Lot de 1
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