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Transistor 2SD1010

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Transistor 2SD1010. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.

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