Transistor 2SD1804

Transistor 2SD1804. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1204. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 05:25.