Transistor 2SD2012

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.63fr	1.76fr
5 - 9	1.55fr	1.68fr
10 - 24	1.46fr	1.58fr
25 - 49	1.38fr	1.49fr
50 - 99	1.35fr	1.46fr
100 - 249	1.32fr	1.43fr
250+	1.25fr	1.35fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.63fr	1.76fr
5 - 9	1.55fr	1.68fr
10 - 24	1.46fr	1.58fr
25 - 49	1.38fr	1.49fr
50 - 99	1.35fr	1.46fr
100 - 249	1.32fr	1.43fr
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Transistor 2SD2012. Transistor. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 3A. Marquage sur le boîtier: D2012. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1366. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 05:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 59

KSD2012GTU

Transistor. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz...

Lot de 1

1.68fr TTC
(1.55fr HT)

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