Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.20fr | 5.62fr |
2 - 2 | 4.94fr | 5.34fr |
3 - 4 | 4.68fr | 5.06fr |
5 - 9 | 4.42fr | 4.78fr |
10 - 19 | 4.31fr | 4.66fr |
20 - 29 | 4.21fr | 4.55fr |
30+ | 4.05fr | 4.38fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.20fr | 5.62fr |
2 - 2 | 4.94fr | 5.34fr |
3 - 4 | 4.68fr | 5.06fr |
5 - 9 | 4.42fr | 4.78fr |
10 - 19 | 4.31fr | 4.66fr |
20 - 29 | 4.21fr | 4.55fr |
30+ | 4.05fr | 4.38fr |
Transistor 2SJ598. Transistor. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 23W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 13:25.
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