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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK1529

Transistor 2SK1529
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Quantité HT TTC
1 - 1 8.98fr 9.71fr
2 - 2 8.54fr 9.23fr
3 - 4 8.09fr 8.75fr
5 - 9 7.64fr 8.26fr
10 - 19 7.46fr 8.06fr
20 - 29 7.28fr 7.87fr
30 - 56 7.01fr 7.58fr
Quantité U.P
1 - 1 8.98fr 9.71fr
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Lot de 1

Transistor 2SK1529. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Marquage sur le boîtier: K1529. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 180V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 13:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

En rupture de stock
ECX10N20

ECX10N20

Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. QuantitÃ...
ECX10N20
Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
ECX10N20
Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
Lot de 1
10.13fr TTC
(9.37fr HT)
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