Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.34fr | 6.85fr |
2 - 2 | 6.03fr | 6.52fr |
3 - 4 | 5.71fr | 6.17fr |
5 - 9 | 5.39fr | 5.83fr |
10 - 19 | 5.27fr | 5.70fr |
20 - 29 | 5.14fr | 5.56fr |
30+ | 4.95fr | 5.35fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.34fr | 6.85fr |
2 - 2 | 6.03fr | 6.52fr |
3 - 4 | 5.71fr | 6.17fr |
5 - 9 | 5.39fr | 5.83fr |
10 - 19 | 5.27fr | 5.70fr |
20 - 29 | 5.14fr | 5.56fr |
30+ | 4.95fr | 5.35fr |
Transistor 2SK2647. Transistor. C (in): 450pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2647. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 3.19 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.
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