Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.56fr | 6.01fr |
2 - 2 | 5.28fr | 5.71fr |
3 - 4 | 5.00fr | 5.41fr |
5 - 9 | 4.72fr | 5.10fr |
10 - 19 | 4.61fr | 4.98fr |
20 - 29 | 4.50fr | 4.86fr |
30 - 47 | 4.34fr | 4.69fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.56fr | 6.01fr |
2 - 2 | 5.28fr | 5.71fr |
3 - 4 | 5.00fr | 5.41fr |
5 - 9 | 4.72fr | 5.10fr |
10 - 19 | 4.61fr | 4.98fr |
20 - 29 | 4.50fr | 4.86fr |
30 - 47 | 4.34fr | 4.69fr |
Transistor 2SK3679. Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 3.2us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3679. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 95W. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.
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