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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor ALF08N20V

Transistor ALF08N20V
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Quantité HT TTC
1 - 1 26.31fr 28.44fr
2 - 2 24.99fr 27.01fr
3 - 4 23.67fr 25.59fr
5 - 9 22.36fr 24.17fr
10 - 14 21.83fr 23.60fr
15 - 19 21.31fr 23.04fr
20+ 20.52fr 22.18fr
Quantité U.P
1 - 1 26.31fr 28.44fr
2 - 2 24.99fr 27.01fr
3 - 4 23.67fr 25.59fr
5 - 9 22.36fr 24.17fr
10 - 14 21.83fr 23.60fr
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Lot de 1

Transistor ALF08N20V. Transistor. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08P20V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 19:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

En rupture de stock
ECX10N20

ECX10N20

Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. QuantitÃ...
ECX10N20
Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
ECX10N20
Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
Lot de 1
10.13fr TTC
(9.37fr HT)
10.13fr

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