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Transistor ALF08P20V

Transistor ALF08P20V
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2 - 2 16.89fr 18.26fr
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Transistor ALF08P20V. Transistor. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08N20V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 19:25.

Produits équivalents :

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ECX10P20

ECX10P20

Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. QuantitÃ...
ECX10P20
Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10N20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
ECX10P20
Transistor. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10N20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
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