Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26fr | 0.28fr |
10 - 24 | 0.25fr | 0.27fr |
25 - 49 | 0.23fr | 0.25fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.21fr | 0.23fr |
250 - 279 | 0.18fr | 0.19fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26fr | 0.28fr |
10 - 24 | 0.25fr | 0.27fr |
25 - 49 | 0.23fr | 0.25fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.21fr | 0.23fr |
250 - 279 | 0.18fr | 0.19fr |
Transistor AO3416. Transistor. C (in): 1160pF. C (out): 187pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 17.7 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Résistance passante Rds On: 18M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Protection ESD. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 19:25.
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