Transistor AO4427

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.85fr	0.92fr
5 - 9	0.81fr	0.88fr
10 - 24	0.76fr	0.82fr
25 - 49	0.72fr	0.78fr
50 - 99	0.70fr	0.76fr
100 - 249	0.69fr	0.75fr
250 - 343	0.65fr	0.70fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.85fr	0.92fr
5 - 9	0.81fr	0.88fr
10 - 24	0.76fr	0.82fr
25 - 49	0.72fr	0.78fr
50 - 99	0.70fr	0.76fr
100 - 249	0.69fr	0.75fr
250 - 343	0.65fr	0.70fr

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Transistor AO4427. Transistor. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 19:25.

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