Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33fr | 1.44fr |
5 - 9 | 1.26fr | 1.36fr |
10 - 24 | 1.20fr | 1.30fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 72 | 1.10fr | 1.19fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33fr | 1.44fr |
5 - 9 | 1.26fr | 1.36fr |
10 - 24 | 1.20fr | 1.30fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 72 | 1.10fr | 1.19fr |
Transistor AO4710. Transistor. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Idss (min): 0.02mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.
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