Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87fr | 0.94fr |
5 - 9 | 0.83fr | 0.90fr |
10 - 24 | 0.79fr | 0.85fr |
25 - 49 | 0.74fr | 0.80fr |
50 - 99 | 0.73fr | 0.79fr |
100 - 249 | 0.71fr | 0.77fr |
250 - 886 | 0.61fr | 0.66fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87fr | 0.94fr |
5 - 9 | 0.83fr | 0.90fr |
10 - 24 | 0.79fr | 0.85fr |
25 - 49 | 0.74fr | 0.80fr |
50 - 99 | 0.73fr | 0.79fr |
100 - 249 | 0.71fr | 0.77fr |
250 - 886 | 0.61fr | 0.66fr |
Transistor AO4714. Transistor. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.
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