Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 67 | 0.97fr | 1.05fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 67 | 0.97fr | 1.05fr |
Transistor AOY2610E. Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.
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