Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.36fr | 1.47fr |
5 - 9 | 1.29fr | 1.39fr |
10 - 24 | 1.22fr | 1.32fr |
25 - 32 | 1.16fr | 1.25fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.36fr | 1.47fr |
5 - 9 | 1.29fr | 1.39fr |
10 - 24 | 1.22fr | 1.32fr |
25 - 32 | 1.16fr | 1.25fr |
Transistor AP40T03GP. Transistor. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.
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