Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.56fr | 0.61fr |
5 - 9 | 0.53fr | 0.57fr |
10 - 24 | 0.50fr | 0.54fr |
25 - 49 | 0.43fr | 0.46fr |
50 - 99 | 0.41fr | 0.44fr |
100 - 149 | 0.38fr | 0.41fr |
150 - 395 | 0.36fr | 0.39fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.56fr | 0.61fr |
5 - 9 | 0.53fr | 0.57fr |
10 - 24 | 0.50fr | 0.54fr |
25 - 49 | 0.43fr | 0.46fr |
50 - 99 | 0.41fr | 0.44fr |
100 - 149 | 0.38fr | 0.41fr |
150 - 395 | 0.36fr | 0.39fr |
Transistor BC857C. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 07:25.
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