Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.21fr | 0.23fr |
10 - 24 | 0.12fr | 0.13fr |
25 - 49 | 0.11fr | 0.12fr |
50 - 99 | 0.10fr | 0.11fr |
100 - 249 | 0.0472fr | 0.0510fr |
250 - 499 | 0.0443fr | 0.0479fr |
500 - 7196 | 0.0413fr | 0.0446fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.21fr | 0.23fr |
10 - 24 | 0.12fr | 0.13fr |
25 - 49 | 0.11fr | 0.12fr |
50 - 99 | 0.10fr | 0.11fr |
100 - 249 | 0.0472fr | 0.0510fr |
250 - 499 | 0.0443fr | 0.0479fr |
500 - 7196 | 0.0413fr | 0.0446fr |
Transistor BC858C-3G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 07:25.
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