Transistor BDV64C-POW

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.67fr	6.13fr
2 - 2	5.39fr	5.83fr
3 - 4	5.10fr	5.51fr
5 - 9	4.82fr	5.21fr
10 - 19	4.71fr	5.09fr
20 - 21	4.59fr	4.96fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.67fr	6.13fr
2 - 2	5.39fr	5.83fr
3 - 4	5.10fr	5.51fr
5 - 9	4.82fr	5.21fr
10 - 19	4.71fr	5.09fr
20 - 21	4.59fr	4.96fr

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Lot de 1

Transistor BDV64C-POW. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 18:25.

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