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Transistor BF451

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Transistor BF451. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: Etages HF et IF dans les récepteurs radio. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 25mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.

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