Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.49fr | 0.53fr |
2 - 2 | 0.47fr | 0.51fr |
3 - 4 | 0.44fr | 0.48fr |
5 - 9 | 0.42fr | 0.45fr |
10 - 24 | 0.39fr | 0.42fr |
25 - 49 | 0.37fr | 0.40fr |
50 - 237 | 0.34fr | 0.37fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.49fr | 0.53fr |
2 - 2 | 0.47fr | 0.51fr |
3 - 4 | 0.44fr | 0.48fr |
5 - 9 | 0.42fr | 0.45fr |
10 - 24 | 0.39fr | 0.42fr |
25 - 49 | 0.37fr | 0.40fr |
50 - 237 | 0.34fr | 0.37fr |
Transistor BFS20. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 25mA. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.
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