Transistor BFW92A

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.48fr	0.52fr
5 - 9	0.46fr	0.50fr
10 - 24	0.43fr	0.46fr
25 - 49	0.41fr	0.44fr
50 - 99	0.27fr	0.29fr
100 - 249	0.26fr	0.28fr
250 - 760	0.25fr	0.27fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.48fr	0.52fr
5 - 9	0.46fr	0.50fr
10 - 24	0.43fr	0.46fr
25 - 49	0.41fr	0.44fr
50 - 99	0.27fr	0.29fr
100 - 249	0.26fr	0.28fr
250 - 760	0.25fr	0.27fr

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Lot de 1

Transistor BFW92A. Transistor. Boîtier: TO-50. Résistance B: non. Diode BE: transistor NPN haute fréquence. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): TO-50. Diode CE: composant monté en surface (CMS). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3.2GHz. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.025A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.

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