Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43fr | 0.46fr |
10 - 24 | 0.41fr | 0.44fr |
25 - 49 | 0.39fr | 0.42fr |
50 - 99 | 0.37fr | 0.40fr |
100 - 249 | 0.22fr | 0.24fr |
250 - 499 | 0.21fr | 0.23fr |
500 - 2576 | 0.20fr | 0.22fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43fr | 0.46fr |
10 - 24 | 0.41fr | 0.44fr |
25 - 49 | 0.39fr | 0.42fr |
50 - 99 | 0.37fr | 0.40fr |
100 - 249 | 0.22fr | 0.24fr |
250 - 499 | 0.21fr | 0.23fr |
500 - 2576 | 0.20fr | 0.22fr |
Transistor BS170G. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170G. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.
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