Transistor BSS123LT1G

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.11fr	0.12fr
10 - 24	0.10fr	0.11fr
25 - 49	0.0982fr	0.1062fr
50 - 99	0.0927fr	0.1002fr
100 - 249	0.0873fr	0.0944fr
250 - 499	0.0818fr	0.0884fr
500 - 2811	0.0984fr	0.1064fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.11fr	0.12fr
10 - 24	0.10fr	0.11fr
25 - 49	0.0982fr	0.1062fr
50 - 99	0.0927fr	0.1002fr
100 - 249	0.0873fr	0.0944fr
250 - 499	0.0818fr	0.0884fr
500 - 2811	0.0984fr	0.1064fr

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Quantité en stock : 2811

Lot de 1

Transistor BSS123LT1G. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SA. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 07:25.

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