Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.01fr | 1.09fr |
2 - 2 | 0.96fr | 1.04fr |
3 - 4 | 0.91fr | 0.98fr |
5 - 9 | 0.86fr | 0.93fr |
10 - 24 | 0.80fr | 0.86fr |
25 - 49 | 0.75fr | 0.81fr |
50 - 237 | 0.70fr | 0.76fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.01fr | 1.09fr |
2 - 2 | 0.96fr | 1.04fr |
3 - 4 | 0.91fr | 0.98fr |
5 - 9 | 0.86fr | 0.93fr |
10 - 24 | 0.80fr | 0.86fr |
25 - 49 | 0.75fr | 0.81fr |
50 - 237 | 0.70fr | 0.76fr |
Transistor BSV52. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 250mA. Marquage sur le boîtier: B2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Spec info: sérigraphie/code CMS B2. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 07:25.
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