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Semi-conducteurs Transistors

Transistor BU808DFX

Transistor BU808DFX
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Transistor BU808DFX. Transistor. Résistance BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 19:25.

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