Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -20V, -24A - NDP6020P

Quantité	HT	TTC
1 - 1	2.66fr	2.88fr
2 - 2	2.53fr	2.73fr
3 - 4	2.45fr	2.65fr
5 - 9	2.39fr	2.58fr
10 - 19	2.34fr	2.53fr
20 - 29	2.26fr	2.44fr
30 - 330	2.18fr	2.36fr

Quantité	U.P
1 - 1	2.66fr	2.88fr
2 - 2	2.53fr	2.73fr
3 - 4	2.45fr	2.65fr
5 - 9	2.39fr	2.58fr
10 - 19	2.34fr	2.53fr
20 - 29	2.26fr	2.44fr
30 - 330	2.18fr	2.36fr

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Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -20V, -24A - NDP6020P. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -20V, -24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDP6020P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Vbsemi. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 13:25.

Documentation technique