Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A - NTD20P06LT4G

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.86fr	2.01fr
5 - 9	1.77fr	1.91fr
10 - 24	1.71fr	1.85fr
25 - 49	1.67fr	1.81fr
50 - 99	1.64fr	1.77fr
100 - 249	1.22fr	1.32fr
250 - 2644	1.18fr	1.28fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.86fr	2.01fr
5 - 9	1.77fr	1.91fr
10 - 24	1.71fr	1.85fr
25 - 49	1.67fr	1.81fr
50 - 99	1.64fr	1.77fr
100 - 249	1.22fr	1.32fr
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Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A - NTD20P06LT4G. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20P06LG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur EgyÃ©b gyÃ¡rtÃ³. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 13:25.

Documentation technique