Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.97fr | 3.21fr |
5 - 9 | 2.82fr | 3.05fr |
10 - 24 | 2.68fr | 2.90fr |
25 - 49 | 2.53fr | 2.73fr |
50 - 60 | 2.47fr | 2.67fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.97fr | 3.21fr |
5 - 9 | 2.82fr | 3.05fr |
10 - 24 | 2.68fr | 2.90fr |
25 - 49 | 2.53fr | 2.73fr |
50 - 60 | 2.47fr | 2.67fr |
Transistor FDB8447L. Transistor. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.0087 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.
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