Transistor FDC642P

Transistor FDC642P. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 642. Marquage sur le boîtier: 642. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Spec info: faible charge d'entrée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.