Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48fr | 1.60fr |
5 - 9 | 1.40fr | 1.51fr |
10 - 15 | 1.33fr | 1.44fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48fr | 1.60fr |
5 - 9 | 1.40fr | 1.51fr |
10 - 15 | 1.33fr | 1.44fr |
Transistor FDD4141. Transistor. C (in): 2085pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'High performance trench technology'. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 58A. Idss (maxi): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: FDD4141. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 69W. Résistance passante Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.