Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.10fr | 3.35fr |
5 - 9 | 2.94fr | 3.18fr |
10 - 24 | 2.79fr | 3.02fr |
25 - 49 | 2.63fr | 2.84fr |
50 - 99 | 2.57fr | 2.78fr |
100 - 249 | 2.51fr | 2.71fr |
250 - 293 | 2.42fr | 2.62fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.10fr | 3.35fr |
5 - 9 | 2.94fr | 3.18fr |
10 - 24 | 2.79fr | 3.02fr |
25 - 49 | 2.63fr | 2.84fr |
50 - 99 | 2.57fr | 2.78fr |
100 - 249 | 2.51fr | 2.71fr |
250 - 293 | 2.42fr | 2.62fr |
Transistor FDD6296. Transistor. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 52W. Résistance passante Rds On: 0.0088 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.
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