Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.22fr | 3.48fr |
5 - 9 | 3.06fr | 3.31fr |
10 - 24 | 2.90fr | 3.13fr |
25 - 49 | 2.74fr | 2.96fr |
50 - 99 | 2.67fr | 2.89fr |
100 - 249 | 2.61fr | 2.82fr |
250 - 258 | 2.51fr | 2.71fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.22fr | 3.48fr |
5 - 9 | 3.06fr | 3.31fr |
10 - 24 | 2.90fr | 3.13fr |
25 - 49 | 2.74fr | 2.96fr |
50 - 99 | 2.67fr | 2.89fr |
100 - 249 | 2.61fr | 2.82fr |
250 - 258 | 2.51fr | 2.71fr |
Transistor FDD6672A. Transistor. C (in): 5070pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 8.2M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.
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