Transistor FDN306P

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.75fr	0.81fr
5 - 9	0.71fr	0.77fr
10 - 24	0.67fr	0.72fr
25 - 49	0.52fr	0.56fr
50 - 99	0.50fr	0.54fr
100 - 249	0.43fr	0.46fr
250 - 2336	0.41fr	0.44fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.75fr	0.81fr
5 - 9	0.71fr	0.77fr
10 - 24	0.67fr	0.72fr
25 - 49	0.52fr	0.56fr
50 - 99	0.50fr	0.54fr
100 - 249	0.43fr	0.46fr
250 - 2336	0.41fr	0.44fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 2336

Lot de 1

Transistor FDN306P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 306. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

Documentation technique

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Par email

Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!