Transistor FDN5618P

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.38fr	1.49fr
5 - 9	1.31fr	1.42fr
10 - 24	1.24fr	1.34fr
25 - 49	0.92fr	0.99fr
50 - 99	0.90fr	0.97fr
100 - 249	0.88fr	0.95fr
250 - 5058	0.84fr	0.91fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.38fr	1.49fr
5 - 9	1.31fr	1.42fr
10 - 24	1.24fr	1.34fr
25 - 49	0.92fr	0.99fr
50 - 99	0.90fr	0.97fr
100 - 249	0.88fr	0.95fr
250 - 5058	0.84fr	0.91fr

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Quantité en stock : 5058

Lot de 1

Transistor FDN5618P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 618. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 430pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

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