Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 4.46fr | 4.82fr |
2 - 2 | 4.24fr | 4.58fr |
3 - 4 | 4.02fr | 4.35fr |
5 - 9 | 3.79fr | 4.10fr |
10 - 19 | 3.71fr | 4.01fr |
20 - 29 | 3.62fr | 3.91fr |
30 - 189 | 3.48fr | 3.76fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4.46fr | 4.82fr |
2 - 2 | 4.24fr | 4.58fr |
3 - 4 | 4.02fr | 4.35fr |
5 - 9 | 3.79fr | 4.10fr |
10 - 19 | 3.71fr | 4.01fr |
20 - 29 | 3.62fr | 3.91fr |
30 - 189 | 3.48fr | 3.76fr |
Transistor FDP2532. Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 79A. Puissance: 310W. Boîtier: TO-220AB. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 56A. Id (T=25°C): 79A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Tension drain - source (Vds): 150V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.
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