Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.10fr | 0.11fr |
10 - 24 | 0.0985fr | 0.1065fr |
25 - 49 | 0.0933fr | 0.1009fr |
50 - 99 | 0.0881fr | 0.0952fr |
100 - 249 | 0.0829fr | 0.0896fr |
250 - 499 | 0.0777fr | 0.0840fr |
500 - 33810 | 0.0726fr | 0.0785fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.10fr | 0.11fr |
10 - 24 | 0.0985fr | 0.1065fr |
25 - 49 | 0.0933fr | 0.1009fr |
50 - 99 | 0.0881fr | 0.0952fr |
100 - 249 | 0.0829fr | 0.0896fr |
250 - 499 | 0.0777fr | 0.0840fr |
500 - 33810 | 0.0726fr | 0.0785fr |
Transistor FDV301N. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 301. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 301. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9.5pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.
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