Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 11.24fr | 12.15fr |
2 - 2 | 10.68fr | 11.55fr |
3 - 4 | 10.11fr | 10.93fr |
5 - 9 | 9.55fr | 10.32fr |
10 - 14 | 9.33fr | 10.09fr |
15 - 19 | 9.10fr | 9.84fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 11.24fr | 12.15fr |
2 - 2 | 10.68fr | 11.55fr |
3 - 4 | 10.11fr | 10.93fr |
5 - 9 | 9.55fr | 10.32fr |
10 - 14 | 9.33fr | 10.09fr |
15 - 19 | 9.10fr | 9.84fr |
Transistor FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGA40N65SMD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 650V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 120ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 174W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.
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