Transistor FQA11N90C_F109

Quantité	HT	TTC
1 - 1	8.68fr	9.38fr
2 - 2	8.25fr	8.92fr
3 - 4	7.81fr	8.44fr
5 - 9	7.38fr	7.98fr
10 - 19	7.21fr	7.79fr
20 - 21	7.03fr	7.60fr

Quantité	U.P
1 - 1	8.68fr	9.38fr
2 - 2	8.25fr	8.92fr
3 - 4	7.81fr	8.44fr
5 - 9	7.38fr	7.98fr
10 - 19	7.21fr	7.79fr
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Transistor FQA11N90C_F109. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA11N90C_F109. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.

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